- Danh mục
- Wassenaar – Danh mục hàng hóa và công nghệ lưỡng dụng – WA-LIST (25) 1
- Mục tương ứng của EU
- 3C005
a. "Chất nền" bán dẫn silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), nhôm gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga2O3) hoặc kim cương, hoặc thỏi, khối đơn tinh thể (boule) hoặc phôi khác của các vật liệu đó, có điện trở suất lớn hơn 10 000 ohm-cm ở 20 °C;
b. "Chất nền" đa tinh thể hoặc "chất nền" gốm đa tinh thể, có điện trở suất lớn hơn 10 000 ohm-cm ở 20 °C và có ít nhất một lớp đơn tinh thể không phải epitaxy của silic (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), nhôm gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga2O3) hoặc kim cương trên bề mặt của "chất nền".
Lưu ý: Đối với vật liệu gồm một "chất nền" được quy định tại 3C005 có ít nhất một lớp epitaxy, xem 3C001 hoặc 3C006.
b. "Chất nền" đa tinh thể hoặc "chất nền" gốm đa tinh thể, có điện trở suất lớn hơn 10 000 ohm-cm ở 20 °C và có ít nhất một lớp đơn tinh thể không phải epitaxy của silic (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), nhôm gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga2O3) hoặc kim cương trên bề mặt của "chất nền".
Lưu ý: Đối với vật liệu gồm một "chất nền" được quy định tại 3C005 có ít nhất một lớp epitaxy, xem 3C001 hoặc 3C006.
Nguyên văn tiếng Anh
a. Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), aluminium gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga₂O₃) or diamond semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10,000 ohm-cm at 20°C;
b. Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10,000 ohm-cm at 20°C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), aluminium gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga₂O₃) or diamond on the surface of the "substrate".
N.B. For materials consisting of a "substrate" specified in 3.C.5. with at least one epitaxial layer, see 3.C.1. or 3.C.6.
b. Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10,000 ohm-cm at 20°C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), aluminium gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga₂O₃) or diamond on the surface of the "substrate".
N.B. For materials consisting of a "substrate" specified in 3.C.5. with at least one epitaxial layer, see 3.C.1. or 3.C.6.