3.C.6.Vật liệu, không được quy định tại 3C001, gồm một "chất nền" được quy định tại 3C005 có ít nhất một lớp epitaxy silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), nhôm gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga2O3) hoặc kim cương.