Chủ nhật, 01/11/2026
Logo Cơ quan thường trực 81 (SOVNPA 81) Cơ quan đầu mối quốc gia Việt Nam
về phòng, chống phổ biến vũ khí hủy diệt hàng loạt
Cơ quan thường trực 81

2B005Thiết bị được thiết kế đặc biệt để lắng đọng, xử lý và kiểm soát trong quá trình đối với lớp phủ chồng vô cơ, lớp phủ và biến đổi bề mặt, như sau, đối với chất nền được quy định tại cột 2, bằng các quy trình nêu tại cột 1 trong Bảng sau 2E003.f., và linh kiện, bộ phận tự động xử lý, định vị, thao tác và điều khiển được thiết kế đặc biệt dùng cho chúng:

Danh mục
Danh mục hàng hóa lưỡng dụng của EU – Phụ lục I Quy định (EU) 2021/821, được cập nhật hàng năm
Cơ chế gốc
Thỏa ước Wassenaar

a. Thiết bị sản xuất lắng đọng hơi hóa học (CVD) có tất cả các đặc tính sau đây:

Lưu ý: XEM THÊM 2B105.

1. Quy trình được cải biến cho một trong các quy trình sau đây:

a. CVD xung;

b. Lắng đọng nhiệt với tạo mầm có kiểm soát (CNTD); hoặc

c. CVD tăng cường plasma hoặc hỗ trợ plasma; và

2. Có bất kỳ đặc tính nào sau đây:

a. Tích hợp phớt làm kín quay chân không cao (bằng hoặc nhỏ hơn 0,01 Pa); hoặc

b. Tích hợp chức năng kiểm soát độ dày lớp phủ tại chỗ;

b. Thiết bị sản xuất cấy ion có dòng chùm tia bằng hoặc lớn hơn 5 mA;

c. Thiết bị sản xuất lắng đọng hơi vật lý bằng chùm điện tử (EB-PVD) tích hợp hệ thống nguồn điện có định mức trên 80 kW và có bất kỳ đặc tính nào sau đây:

1. Hệ thống điều khiển mức bể lỏng bằng "laser" điều chỉnh chính xác tốc độ cấp phôi thỏi; hoặc

2. Bộ giám sát tốc độ điều khiển bằng máy tính hoạt động theo nguyên lý quang phát quang của các nguyên tử bị ion hóa trong dòng hơi bay hơi để điều khiển tốc độ lắng đọng của lớp phủ chứa hai nguyên tố trở lên;

d. Thiết bị sản xuất phun plasma có bất kỳ đặc tính nào sau đây:

1. Hoạt động trong môi trường khí quyển có kiểm soát ở áp suất giảm (bằng hoặc nhỏ hơn 10 kPa, đo ở phía trên và trong phạm vi 300 mm tính từ miệng ra của súng phun) trong buồng chân không có khả năng hút chân không xuống đến 0,01 Pa trước quá trình phun; hoặc

2. Tích hợp chức năng kiểm soát độ dày lớp phủ tại chỗ;

e. Thiết bị sản xuất lắng đọng phún xạ có khả năng đạt mật độ dòng bằng hoặc lớn hơn 0,1 mA/mm2 ở tốc độ lắng đọng bằng hoặc lớn hơn 15 μm/h;

f. Thiết bị sản xuất lắng đọng hồ quang catốt tích hợp lưới nam châm điện để điều khiển dẫn hướng điểm hồ quang trên catốt;

g. Thiết bị sản xuất mạ ion có khả năng đo tại chỗ bất kỳ thông số nào sau đây:

1. Độ dày lớp phủ trên chất nền và kiểm soát tốc độ; hoặc

2. Đặc tính quang học.

Chú thích:

2B005 không kiểm soát thiết bị lắng đọng hơi hóa học, hồ quang catốt, lắng đọng phún xạ, mạ ion hoặc cấy ion được thiết kế đặc biệt cho dụng cụ cắt hoặc dụng cụ gia công.