- Danh mục
- Wassenaar – Danh mục hàng hóa và công nghệ lưỡng dụng – WA-LIST (25) 1
- Mục tương ứng của EU
- 3E003
a. Dụng cụ vi điện tử chân không;
b. Dụng cụ điện tử bán dẫn có cấu trúc dị thể như tranzito có độ linh động điện tử cao (HEMT), tranzito lưỡng cực dị tiếp giáp (HBT), dụng cụ giếng lượng tử và dụng cụ siêu mạng;
Chú thích:
3E003.b. không kiểm soát "công nghệ" dùng cho HEMT hoạt động ở tần số thấp hơn 31,8 GHz và HBT hoạt động ở tần số thấp hơn 31,8 GHz.
c. Dụng cụ điện tử "siêu dẫn";
d. Chất nền kim cương dùng cho linh kiện điện tử;
e. Chất nền silic trên chất cách điện (SOI) dùng cho vi mạch tích hợp trong đó chất cách điện là silicon dioxide;
f. Chất nền silicon carbide dùng cho linh kiện điện tử;
g. "Dụng cụ điện tử chân không" hoạt động ở tần số từ 31,8 GHz trở lên;
h. Chất nền gallium oxide dùng cho linh kiện điện tử.
b. Dụng cụ điện tử bán dẫn có cấu trúc dị thể như tranzito có độ linh động điện tử cao (HEMT), tranzito lưỡng cực dị tiếp giáp (HBT), dụng cụ giếng lượng tử và dụng cụ siêu mạng;
Chú thích:
3E003.b. không kiểm soát "công nghệ" dùng cho HEMT hoạt động ở tần số thấp hơn 31,8 GHz và HBT hoạt động ở tần số thấp hơn 31,8 GHz.
c. Dụng cụ điện tử "siêu dẫn";
d. Chất nền kim cương dùng cho linh kiện điện tử;
e. Chất nền silic trên chất cách điện (SOI) dùng cho vi mạch tích hợp trong đó chất cách điện là silicon dioxide;
f. Chất nền silicon carbide dùng cho linh kiện điện tử;
g. "Dụng cụ điện tử chân không" hoạt động ở tần số từ 31,8 GHz trở lên;
h. Chất nền gallium oxide dùng cho linh kiện điện tử.
Nguyên văn tiếng Anh
a. Vacuum microelectronic devices;
b. Hetero-structure semiconductor electronic devices such as High Electron Mobility Transistors (HEMTs), Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs), quantum well and super lattice devices;
Note 3.E.3.b. does not apply to "technology" for HEMTs operating at frequencies lower than 31.8 GHz and HBTs operating at frequencies lower than 31.8 GHz.
c. "Superconductive" electronic devices;
d. Substrates of diamond for electronic components;
e. Substrates of Silicon-on-Insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
f. Substrates of silicon carbide for electronic components;
g. "Vacuum electronic devices" operating at frequencies of 31.8 GHz or higher;
h. Substrates of gallium oxide for electronic components.
b. Hetero-structure semiconductor electronic devices such as High Electron Mobility Transistors (HEMTs), Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs), quantum well and super lattice devices;
Note 3.E.3.b. does not apply to "technology" for HEMTs operating at frequencies lower than 31.8 GHz and HBTs operating at frequencies lower than 31.8 GHz.
c. "Superconductive" electronic devices;
d. Substrates of diamond for electronic components;
e. Substrates of Silicon-on-Insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
f. Substrates of silicon carbide for electronic components;
g. "Vacuum electronic devices" operating at frequencies of 31.8 GHz or higher;
h. Substrates of gallium oxide for electronic components.