3B503Thiết bị kính hiển vi điện tử quét (SEM) được thiết kế để chụp ảnh dụng cụ bán dẫn hoặc vi mạch tích hợp, có tất cả các đặc tính sau đây:

a. Độ chính xác đặt vị trí bàn mẫu nhỏ hơn (tốt hơn) 30 nm;

b. Phép đo định vị bàn mẫu được thực hiện bằng giao thoa kế laser;

c. Hiệu chuẩn vị trí trong một trường nhìn (FOV) dựa trên phép đo thang chiều dài bằng giao thoa kế laser;

d. Thu thập và lưu trữ hình ảnh có nhiều hơn 2 × 108 điểm ảnh;

e. Độ chồng lấn FOV nhỏ hơn 5 phần trăm theo phương thẳng đứng và phương nằm ngang;

f. Độ chồng lấn ghép nối FOV nhỏ hơn 50 nm; và

g. Điện áp gia tốc lớn hơn 21 kV.

Chú thích 1:

3B503 bao gồm thiết bị SEM được thiết kế để khôi phục thiết kế chip.

Chú thích 2:

3B503 không áp dụng đối với thiết bị SEM được thiết kế để tiếp nhận hộp chứa tấm wafer theo tiêu chuẩn của Hiệp hội Thiết bị và Vật liệu bán dẫn quốc tế (SEMI), chẳng hạn như hộp mở mặt trước hợp nhất (FOUP) cỡ 200 mm hoặc lớn hơn.