- Danh mục
- Danh mục hàng hóa lưỡng dụng của EU – Phụ lục I Quy định (EU) 2021/821, được cập nhật hàng năm
Các mục trong nhóm
- 3A Hệ thống, thiết bị và linh kiện
- 3A001 Mặt hàng điện tử như sau:
- 3A002 Các "cụm lắp ráp điện tử", mô-đun và thiết bị đa dụng, như sau:
- 3A003 Hệ thống quản lý nhiệt bằng làm mát phun sử dụng thiết bị xử lý và tái điều hòa chất lỏng vòng kín trong vỏ bọc kín, trong đó chất lỏng điện môi được phun lên…
- 3A101 Thiết bị, dụng cụ và linh kiện điện tử, trừ loại được quy định tại 3A001, như sau:
- 3A102 'Pin nhiệt' được thiết kế hoặc được cải biến cho 'tên lửa'.
- 3A201 Linh kiện điện tử, trừ loại được quy định tại 3A001, như sau;
- 3A225 Bộ biến tần hoặc máy phát, trừ loại được quy định tại 0B001.b.13., sử dụng được làm bộ truyền động động cơ tần số thay đổi hoặc cố định, có tất cả các đặc tính…
- 3A226 Nguồn điện một chiều công suất cao, trừ loại được quy định tại 0B001.j.6., có cả hai đặc tính sau đây:
- 3A227 Nguồn điện một chiều điện áp cao, trừ loại được quy định tại 0B001.j.5., có cả hai đặc tính sau đây:
- 3A228 Thiết bị đóng cắt, như sau:
- 3A229 Máy phát xung dòng điện lớn như sau:
- 3A230 Máy phát xung tốc độ cao, và 'đầu tạo xung' dùng cho chúng, có cả hai đặc tính sau đây:
- 3A231 Hệ thống máy phát nơtron, bao gồm cả ống phát, có cả hai đặc tính sau đây:
- 3A232 Hệ thống khởi nổ đa điểm, trừ loại được quy định tại 1A007, như sau:
- 3A233 Khối phổ kế, trừ loại được quy định tại 0B002.g., có khả năng đo các ion từ 230 u trở lên và có độ phân giải tốt hơn 2 phần trên 230, như sau, và nguồn ion…
- 3A234 Đường truyền dải để tạo đường dẫn điện cảm thấp tới kíp nổ, có các đặc tính sau đây:
- 3A501 Mặt hàng điện tử như sau:
- 3A502 Các "cụm lắp ráp điện tử", mô-đun và thiết bị đa dụng, như sau:
- 3A504 Hệ thống làm lạnh cryo và linh kiện, bộ phận, như sau:
- 3B Thiết bị thử nghiệm, kiểm tra và sản xuất
- 3B001 Thiết bị dùng để chế tạo các linh kiện hoặc vật liệu bán dẫn, như sau, và linh kiện, bộ phận và phụ kiện được thiết kế đặc biệt dùng cho chúng:
- 3B002 Thiết bị thử nghiệm được thiết kế đặc biệt để thử nghiệm các linh kiện bán dẫn đã hoàn thiện hoặc chưa hoàn thiện như sau, và linh kiện, bộ phận và phụ kiện…
- 3B501 Thiết bị dùng để chế tạo dụng cụ hoặc vật liệu bán dẫn, như sau, và linh kiện, bộ phận và phụ kiện được thiết kế đặc biệt dùng cho chúng:
- 3B503 Thiết bị kính hiển vi điện tử quét (SEM) được thiết kế để chụp ảnh dụng cụ bán dẫn hoặc vi mạch tích hợp, có tất cả các đặc tính sau đây:
- 3B504 Thiết bị dò kiểm tấm wafer ở nhiệt độ cực thấp, có tất cả các đặc tính sau đây:
- 3C Vật liệu
- 3C001 Vật liệu dị epitaxy, không được quy định tại 3C507, gồm một "chất nền" có nhiều lớp xếp chồng được tăng trưởng epitaxy của bất kỳ vật liệu nào sau đây:
- 3C002 Vật liệu cản quang như sau và "chất nền" được phủ các loại vật liệu cản quang sau đây:
- 3C003 Hợp chất hữu cơ - vô cơ như sau:
- 3C004 Hydride của phosphorus, arsenic hoặc antimony, có độ tinh khiết lớn hơn (tốt hơn) 99,999 %, kể cả khi được pha loãng trong khí trơ hoặc hydro.
- 3C005 Vật liệu có điện trở suất cao như sau:
- 3C006 Vật liệu, không được quy định tại 3C001, gồm một "chất nền" được quy định tại 3C005 có ít nhất một lớp epitaxy silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN)…
- 3C507 Vật liệu epitaxy gồm một "chất nền" có ít nhất một lớp được tăng trưởng epitaxy của bất kỳ vật liệu nào sau đây:
- 3C508 Fluoride, hydride hoặc chloride của silic hoặc germani, có chứa bất kỳ thành phần nào sau đây:
- 3C509 silic, silicon oxide, germani hoặc germanium oxide, có chứa bất kỳ thành phần nào sau đây:
- 3D Phần mềm
- 3D001 "Phần mềm" được thiết kế đặc biệt cho việc "phát triển" hoặc "sản xuất" thiết bị được quy định tại 3A001.b. đến 3A002.h., 3A501.b.13. hoặc 3B.
- 3D002 "Phần mềm" được thiết kế đặc biệt cho việc "sử dụng" thiết bị được quy định tại 3B001.a. đến 3B001.f., 3B002, 3A225, 3B501.a.4., 3B501.f.1., 3B501.k. hoặc…
- 3D003 "Phần mềm" 'quang khắc tính toán' được thiết kế đặc biệt cho việc "phát triển" hình mẫu trên mặt nạ hoặc lưới quang dùng cho quang khắc EUV.
- 3D004 "Phần mềm" được thiết kế đặc biệt cho việc "phát triển" thiết bị được quy định tại 3A003.
- 3D005 "Phần mềm" được thiết kế đặc biệt để khôi phục hoạt động bình thường của máy vi tính, "vi mạch vi xử lý" hoặc "vi mạch vi tính" trong vòng 1 ms sau khi bị gián…
- 3D006 "Phần mềm" 'thiết kế điện tử có trợ giúp của máy tính' ('ECAD') được thiết kế đặc biệt cho việc "phát triển" vi mạch tích hợp có bất kỳ cấu trúc "tranzito hiệu…
- 3D101 "Phần mềm" được thiết kế đặc biệt hoặc được cải biến cho việc "sử dụng" thiết bị được quy định tại 3A101.b.
- 3D225 "Phần mềm" được thiết kế đặc biệt để nâng cao hoặc mở khóa hiệu năng của bộ biến tần hoặc máy phát nhằm đáp ứng các đặc tính của 3A225.
- 3D507 "Phần mềm" được thiết kế để trích xuất dữ liệu bố trí theo tiêu chuẩn 'GDSII' hoặc tiêu chuẩn tương đương và thực hiện căn chỉnh giữa các lớp từ hình ảnh kính…
- 3E Công nghệ
- 3E001 "Công nghệ" theo Chú giải chung về công nghệ cho việc "phát triển" hoặc "sản xuất" thiết bị hoặc vật liệu được quy định tại 3A, 3B hoặc 3C.
- 3E002 "Công nghệ" theo Chú giải chung về công nghệ, ngoài công nghệ được quy định tại 3E001, cho việc "phát triển" hoặc "sản xuất" lõi "vi mạch vi xử lý", "vi mạch…
- 3E003 "Công nghệ" khác cho việc "phát triển" hoặc "sản xuất" các mặt hàng sau đây:
- 3E004 "Công nghệ" "cần thiết" cho việc cắt lát, mài và đánh bóng tấm wafer silic đường kính 300 mm để đạt 'dải bình phương tối thiểu mặt trước theo vị trí' ('SFQR')…
- 3E101 "Công nghệ" theo Chú giải chung về công nghệ cho việc "sử dụng" thiết bị hoặc "phần mềm" được quy định tại 3A001.a.1. hoặc 2., 3A101, 3A102 hoặc 3D101.
- 3E102 "Công nghệ" theo Chú giải chung về công nghệ cho việc "phát triển" "phần mềm" được quy định tại 3D101.
- 3E201 "Công nghệ" theo Chú giải chung về công nghệ cho việc "sử dụng" thiết bị được quy định tại 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 đến 3A234.
- 3E225 "Công nghệ", dưới dạng mã hoặc khóa, để nâng cao hoặc mở khóa hiệu năng của bộ biến tần hoặc máy phát nhằm đáp ứng các đặc tính của 3A225.
- 3E505 "Công nghệ" theo Chú giải chung về công nghệ cho việc "phát triển" hoặc "sản xuất" vi mạch tích hợp hoặc dụng cụ sử dụng cấu trúc "tranzito hiệu ứng trường…